Technologie ultrasonique de jet pour le revêtement de pile solaire
La technologie ultrasonique de jet est employée dans les les deux des applications du silicium cristallin photovoltaïque (c-SI) et de la couche mince. La technologie ultrasonique de jet une fois comparée à la vapeur chimique la technologie (CVD), pulvérisant, revêtement de rotation, roulent le revêtement et les techniques de revêtement de brouillard peuvent être des moyens plus rentables de déposer des revêtements de la couche mince sur les piles solaires. En raison de l'uniformité élevée des gouttelettes pulvérisées et de leur à vitesse réduite pendant le processus de revêtement, fortement uniforme, couches épaisses de micron peut être formé sur le c-SI et les cellules solaires minces de film. Les avantages supplémentaires des déchets ou de la survaporisation minimaux peuvent également mener à l'épargne matérielle significative.
La technologie ultrasonique de jet est employée avec les chimies suivantes :
Dopants, amortisseurs, tampons, produits organiques, etc.
Dopants acides boriques
Amortisseurs de chlorure de cadmium (CdTe)
Sulfure de cadmium (Cd) – couche de tampon utilisée dans les CLOPES, cellules de CdTe
Amortisseurs de cuivre de séléniure de gallium d'indium (CLOPES ou CIS)
Amortisseurs de cuivre du sulfure de bidon de zinc (CZTS)
Le colorant a sensibilisé les piles solaires organiques (DSC, DSSC ou DYSC)
P3HT
PEDOT
PCBM
Dopants à base d'acide phosphoriques dans la formation d'émetteur
Points de Quantum (QD)
Le jet ultrasonique de a été avec succès employé pour pulvériser un grand choix de points de Quantum. Des films de ZnO et les points de Quantum de Cd ont été préparés utilisant des techniques ultrasoniques de dépôt de pyrolyse de jet à une fraction du coût de CVD et des méthodes de pulvérisation.
Oxydes conducteurs transparents (TCO)
Bioxyde de bidon (SnO2)
Oxyde de bidon d'indium (ITO)
Oxyde de zinc (ZnO) comme nanowires dans des applications de DSC
Nanotubes de carbone (CNT)
Nanowires argenté (AGNW)
Graphene
Revêtements de l'antiréflexion (AR)
SiO2
TiO2
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