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nouvelles de l'entreprise Atomisation des Nanomaterials ultrasoniques - revêtement de jet ultrasonique de batterie poreuse de la couche Nano-TiO2 mince

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LA CHINE Hangzhou Altrasonic Technology Co., Ltd certifications
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Société Nouvelles
Atomisation des Nanomaterials ultrasoniques - revêtement de jet ultrasonique de batterie poreuse de la couche Nano-TiO2 mince
Dernières nouvelles de l'entreprise Atomisation des Nanomaterials ultrasoniques - revêtement de jet ultrasonique de batterie poreuse de la couche Nano-TiO2 mince

Atomisation des Nanomaterials ultrasoniques - revêtement de jet ultrasonique de

Batterie poreuse de la couche Nano-TiO2 mince

 

Abrégé : La pile Nano-TiO2 solaire est une façon efficace de résoudre le problème. Cependant, comment améliorer le taux de conversion est la préparation difficile de la pile nano-TiO2 solaire. Cet article présentera notre société a développé un nouveau type de technologie nano-poreuse de préparation du film TiO2 - technologie ultrasonique de jet.

 

Mots clés : pile nano-TiO2 solaire ; film nano-TiO2 poreux ; revêtement de jet ultrasonique

 

Actuellement, la recherche des piles nano-TiO2 solaires est graduellement devenue le point chaud de la recherche de pile solaire. Cependant, le problème à résoudre instamment pour la pile nano-TiO2 solaire est que l'efficacité de conversion photoélectrique est bas due à la méthode de préparation ou au procédé de préparation, qui limite sérieusement l'application industrialisée de production et de grande échelle de la pile nano-TiO2 solaire. La cause première de ce problème est que l'électrode de la couche TiO2 mince préparée a les avantages de la structure compacte, de la recombinaison rapide d'électron-trou et de la basse efficacité de conversion photoélectrique, ainsi un film TiO2 avec une superficie spécifique élevée doit être préparé. D'autre part, la structure poreuse peut faire la lumière du soleil refléter des périodes multiples sur la surface approximative et améliorer le taux d'utilisation de lumière, de sorte que le film TiO2 poreux puisse faciliter la diffusion de l'électrolyte et du transfert des électrons, améliorant de ce fait l'efficacité de conversion photoélectrique l'électrode absorbe jusqu'à 100% près de sa longueur d'onde maximum.

 

Contrastez au procédé précédent de préparation, des nanomaterials ultrasoniques auto-développés ont été choisis pour que l'atomisation prépare les batteries poreuses de la couche nano-TiO2 mince et pour met dans la production. Cet article met en référence les expériences précédentes basées sur la démonstration de l'atomisation ultrasonique de nano-matériels dans la préparation du rôle poreux de batterie de la couche nano-TiO2 mince.

 

Dans l'expérience, la poudre TiO2 a été préparée en mélangeant la poudre TiO2 à de l'éthanol aussi dissolvant et au titanate que la reliure, et le verre conducteur épais de 2.2mm TFO a été choisi comme substrat. La boue TiO2 préparée a été également pulvérisée sur le verre conducteur transparent traité préalablement de FTO par un équipement ultrasonique de jet avec un secteur de jet de 1 cm3. Après que le film TiO2 ait été naturellement séché, la boue a été placée dans un four à moufle pour le traitement thermique. D'abord à 10 ℃/à vitesse minimum a atteint le ℃ 450, tenant la minute 30, et puis s'est naturellement refroidi 80 au ℃, le film nano-TiO2 poreux.

 

Les films nano-TiO2 poreux préparés par le mètre d'impédance ont été examinés et ont constaté que les valeurs potentielles étaient équivalentes à ceux des électrodes de film plat préparées par la méthode d'impression d'écran. Cependant, il est facile utiliser la préparation de l'électrode de membrane par le revêtement de jet et la boue n'est pas facile à être gaspillée, l'épaisseur, et le coût bas d'équipement, pour un large éventail de promotion, a une plus grande valeur d'application. Un autre avantage du revêtement de jet ultrasonique est de réduire la quantité de reliure dans la boue, qui augmente la porosité de l'électrode de membrane et par conséquent augmente la capacité de la couche de charges spatiales sur la surface du semi-conducteur, augmentant de ce fait le potentiel de plat-bande de l'électrode de membrane.

 

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Temps de bar : 2018-01-17 14:31:29 >> Liste de nouvelles
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