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Technologie ultrasonique de jet pour le revêtement de pile solaire

La technologie ultrasonique de jet est employée dans des applications du silicium cristallin photovoltaïque (c-SI) et de la couche mince. La technologie ultrasonique de jet une fois comparée la vapeur chimique à des techniques de la technologie (CVD), de pulvérisation, du revêtement de rotation, du revêtement de petit pain et du revêtement de brouillard peut être des moyens plus rentables de déposer des revêtements de la couche mince sur les piles solaires. En raison de l'uniformité élevée des gouttelettes pulvérisées et de leur à vitesse réduite pendant le processus de revêtement, fortement uniforme, couches épaisses de micron peut être formé sur le c-SI et amincir les cellules solaires de film. Les avantages supplémentaires des déchets ou de la survaporisation minimaux peuvent également mener à l'épargne matérielle significative.

La technologie ultrasonique de jet est employée avec les chimies suivantes :

Dopants, amortisseurs, tampons, produits organiques, etc.

Dopants d'acide borique

Amortisseurs de chlorure de cadmium (CdTe)

Sulfure de cadmium (Cd) – couche de tampon utilisée dans les CLOPES, cellules de CdTe

Amortisseurs de cuivre de séléniure de gallium d'indium (CLOPES ou CIS)

Amortisseurs de cuivre de (CZTS) de sulfure de bidon de zinc

Piles solaires organiques sensibilisées par colorant (DSC, DSSC ou DYSC)

P3HT

PEDOT

PCBM

Dopants à base d'acide phosphoriques dans la formation d'émetteur

Quantum pointille (QD)

Le jet ultrasonique de a été avec succès employé pour pulvériser un grand choix de points de Quantum. Des films de ZnO et les points de Quantum de Cd ont été préparés utilisant des techniques ultrasoniques de dépôt de pyrolyse de jet à une fraction du coût de CVD et des méthodes de pulvérisation.

Oxydes conducteurs transparents (TCO)

Bioxyde de bidon (SnO2)

Oxyde (ITO) de bidon d'indium

Oxyde de zinc (ZnO) comme nanowires dans des applications de DSC

Nanotubes (CNT) de carbone

Nanowires argenté (AGNW)

Graphene

Revêtements de (AR) d'antiréflexion

SiO2

TiO2

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